(688689)宣告布告，公司拟以3.1亿元投资奉行“高端集成电途分立器件财富化基地一期厂房开发项目”，旨正在晋升公司集成电途分立器件产物的出产加工材干，推广出产范围。

　　布告显示，本次投资资金源泉为公司自有资金或自筹资金，开发周期30个月，盘算通过购买土地及发展厂房土筑工程，为后续高端集成电途分立器件财富化基地开发奠定根基。

　　动作邦内领先的半导体分立器件创筑商，银河微电厉重产物席卷小信号器件、功率器件、光电器件、电源约束IC考中三代半导体（SiC、GaN）器件，产物遍及操纵于汽车电子、消费电子、工业驾御、新能源及5G通讯等界限。

　　近年来，受益于下逛需求的强劲驱动，我邦半导体分立器件行业墟市范围一连推广，业内企业接踵功劳盈利。2022年至2024年，银河微电生意收入诀别为6.76亿元、6.95亿元、9.09亿元，呈逐年上升态势。公司体现，受出产地方、筑立及人力资源的限度，目下产能已难以满意日益增进的墟市需求，本次胀动干系半导体分立器件产能范围扩张，可推动交易发达，进一步晋升赢余水准。

　　目前，硅原料平台如故是主流的半导体分立器件工艺平台，并将正在另日相当一段时候内攻陷厉重墟市，但新的半导体原料，如SiC、GaN工艺平台正正在逐渐走向成熟，并正在新能源汽车、光伏逆变器等场景的操纵占比明显晋升。

　　2024年，公司当令优化产物组织，要点晋升MOS产物、TVS及稳压管产物的发售占比，促使产销量稳步增进，希罕是正在车规级半导体器件财富化项目方面，客户拓展赢得明显打破。与此同时，进一步胀动光电器件及IGBT器件扩产，加大对新增筑立进入。

　　为抢抓墟市机会，银河微电一连加快高端产物研发及财富化进度。目前，公司发轫具备SiC MOSFET及GaN HEMT芯片安排材干，而且完成了小批量操纵。

　　值得一提的是，正在新财富结构方面，银河微电“车规级半导体器件财富化”项目进入产能爬坡阶段，产物涵盖IGBT、SiC MOSFET等，取得众家车企供应链认证，聚焦新能源汽车的电机驾御、车载充电体系及ADAS界限，满意AEC-Q101等邦际车规圭表，逐渐取代英飞凌、安森美等海外厂商的中高端墟市份额。 同时，光电耦合器及 LED产物已操纵于工业自愿化、医疗筑立等界限， 并与众家客户合营，开拓高精度传感器及电源约束模块。

　　关于2025年筹划盘算，银河微电体现将缠绕大客户、大产物、大交易张开，进一步丰盛功率器件产物品种，晋升公司上风产物的产能，降低产物层次，同时通过精准营销计谋，栽培新的增进点，晋升大产物的墟市竞赛力。